信越半導体株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第313位 122件
（
2013年：第330位 130件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第258位 155件
（
2013年：第255位 154件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5544986 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法、及び貼り合わせＳＯＩウェーハ | 2014年 7月 9日 | |
| 特許 5541190 | Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法 | 2014年 7月 9日 | |
| 特許 5541136 | 貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法 | 2014年 7月 9日 | |
| 特許 5530856 | ウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハの製造方法並びに熱処理装置 | 2014年 6月25日 | 共同出願 |
| 特許 5528653 | 半導体基板並びに電極の形成方法及び太陽電池の製造方法 | 2014年 6月25日 | 共同出願 |
| 特許 5533624 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2014年 6月25日 | |
| 特許 5533428 | シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法 | 2014年 6月25日 | |
| 特許 5531973 | 貼り合わせ基板及びその製造方法 | 2014年 6月25日 | |
| 特許 5532680 | ＳＯＩウェーハの製造方法およびＳＯＩウェーハ | 2014年 6月25日 | |
| 特許 5531642 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2014年 6月25日 | |
| 特許 5521582 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2014年 6月18日 | |
| 特許 5521561 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2014年 6月18日 | |
| 特許 5522175 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2014年 6月18日 | |
| 特許 5518566 | 窒化物半導体自立基板の製造方法 | 2014年 6月11日 | 共同出願 |
| 特許 5521339 | 多層膜付き半導体ウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | 2014年 6月11日 |
155 件中 61-75 件を表示
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5544986 5541190 5541136 5530856 5528653 5533624 5533428 5531973 5532680 5531642 5521582 5521561 5522175 5518566 5521339
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