特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2013年出願公開件数ランキング　　　第330位　130件（2012年：第404位　100件）

　■　2013年特許取得件数ランキング　　　第255位　154件（2012年：第234位　161件）

（ランキング更新日：2025年2月7日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特許 5240651	多層シリコン半導体ウェーハ及びその作製方法	2013年 7月17日
特許 5239155	シリコンウエーハの製造方法	2013年 7月17日
特許 5238293	研磨ヘッド及び研磨装置並びに研磨方法	2013年 7月17日	共同出願
特許 5240658	化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、化合物半導体エピタキシャルウェーハ及び発光素子	2013年 7月17日
特許 5233894	窒化物半導体自立基板の製造方法	2013年 7月10日
特許 5234010	ワイヤソーおよびワークの切断方法	2013年 7月10日
特許 5233888	両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法	2013年 7月10日
特許 5234148	半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置	2013年 7月10日
特許 5229017	単結晶の製造方法	2013年 7月 3日
特許 5228857	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2013年 7月 3日
特許 5218326	並列ｐｎ接合構造を有する半導体基板の製造方法	2013年 6月26日
特許 5217353	絶縁膜の形成方法	2013年 6月19日
特許 5217981	シリコン単結晶の製造方法	2013年 6月19日
特許 5212041	両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法	2013年 6月19日
特許 5212426	ＣＶＤ炉の清浄度評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法	2013年 6月19日

154 件中 76-90 件を表示

... 6

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

5240651 5239155 5238293 5240658 5233894 5234010 5233888 5234148 5229017 5228857 5218326 5217353 5217981 5212041 5212426

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数