信越半導体株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第313位 122件
（
2013年：第330位 130件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第258位 155件
（
2013年：第255位 154件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5494444 | インゴットの切断方法 | 2014年 5月14日 | |
| 特許 5494224 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 | 2014年 5月14日 | |
| 特許 5488519 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 | 2014年 5月14日 | |
| 特許 5488545 | 単結晶育成装置 | 2014年 5月14日 | |
| 特許 5488544 | 単結晶育成装置 | 2014年 5月14日 | |
| 特許 5493775 | 真空ドレン排出装置 | 2014年 5月14日 | |
| 特許 5493345 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2014年 5月14日 | |
| 特許 5493343 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2014年 5月14日 | |
| 特許 5482547 | シリコン単結晶の製造方法 | 2014年 5月 7日 | |
| 特許 5479390 | シリコンウェーハの製造方法 | 2014年 4月23日 | 共同出願 |
| 特許 5479304 | シリコン単結晶ウェーハの熱酸化膜形成方法 | 2014年 4月23日 | 共同出願 |
| 特許 5477314 | サセプタ及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 4月23日 | |
| 特許 5477229 | 半導体単結晶の製造装置及び製造方法 | 2014年 4月23日 | |
| 特許 5477188 | シリコンウエーハのＰＮ判定方法 | 2014年 4月23日 | |
| 特許 5477277 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2014年 4月23日 |
155 件中 91-105 件を表示
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5494444 5494224 5488519 5488545 5488544 5493775 5493345 5493343 5482547 5479390 5479304 5477314 5477229 5477188 5477277
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