信越半導体株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4962840 | 発光素子及びその製造方法 | 2012年 6月27日 | |
| 特許 4955624 | 両面研磨装置 | 2012年 6月20日 | 共同出願 |
| 特許 4957731 | ルツボハンドリング装置 | 2012年 6月20日 | |
| 特許 4957600 | ＦＺ法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 | 2012年 6月20日 | |
| 特許 4956934 | ウエーハのワレ評価装置およびワレ評価方法 | 2012年 6月20日 | |
| 特許 4951914 | （１１０）シリコンウエーハの製造方法 | 2012年 6月13日 | |
| 特許 4952871 | シリコンウェーハの評価方法 | 2012年 6月13日 | |
| 特許 4951927 | シリコンウエーハの選定方法及びアニールウエーハの製造方法 | 2012年 6月13日 | |
| 特許 4946247 | エピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法 | 2012年 6月 6日 | |
| 特許 4947393 | 半導体基板の製造方法 | 2012年 6月 6日 | |
| 特許 4941511 | 廃液処理方法 | 2012年 5月30日 | |
| 特許 4941000 | エピタキシャル層のドーパント濃度測定方法およびこれを用いたエピタキシャル層の抵抗率測定方法 | 2012年 5月30日 | |
| 特許 4935572 | 高輝度発光ダイオードの製造方法 | 2012年 5月23日 | |
| 特許 4934079 | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 | 2012年 5月16日 | 共同出願 |
| 特許 4930487 | 融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 | 2012年 5月16日 |
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4962840 4955624 4957731 4957600 4956934 4951914 4952871 4951927 4946247 4947393 4941511 4941000 4935572 4934079 4930487
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