信越半導体株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第330位 120件
（
2010年：第311位 147件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第254位 138件
（
2010年：第270位 113件）
（ランキング更新日：2025年5月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4617902 | 発光素子及び発光素子の製造方法 | 2011年 1月26日 | |
| 特許 4617820 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2011年 1月26日 | |
| 特許 4620340 | 発光素子及びその製造方法 | 2011年 1月26日 | 共同出願 |
| 特許 4613451 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 1月19日 | |
| 特許 4613382 | アンチモン拡散方法 | 2011年 1月19日 | |
| 特許 4615161 | エピタキシャルウエーハの製造方法 | 2011年 1月19日 | |
| 特許 4613656 | 半導体ウエーハの製造方法 | 2011年 1月19日 | |
| 特許 4608856 | ウエーハの研磨方法 | 2011年 1月12日 | |
| 特許 4608884 | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法 | 2011年 1月12日 | |
| 特許 4609029 | アニールウェーハの製造方法 | 2011年 1月12日 | |
| 特許 4609026 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2011年 1月12日 | |
| 特許 4613147 | 太陽電池 | 2011年 1月12日 | 共同出願 |
| 特許 4605876 | シリコンウエーハおよびシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法 | 2011年 1月 5日 | |
| 特許 4607307 | 太陽電池用シリコン単結晶及び太陽電池用シリコン単結晶ウエーハ並びにその製造方法 | 2011年 1月 5日 | 共同出願 |
| 特許 4607304 | 太陽電池用シリコン単結晶及び太陽電池用シリコン単結晶ウエーハ並びにその製造方法 | 2011年 1月 5日 | 共同出願 |
138 件中 121-135 件を表示
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4617902 4617820 4620340 4613451 4613382 4615161 4613656 4608856 4608884 4609029 4609026 4613147 4605876 4607307 4607304
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