信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2011年 出願公開件数ランキング 第330位 120件
（
2010年：第311位 147件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第254位 138件
（
2010年：第270位 113件）
（ランキング更新日：2025年2月27日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4617902 | 発光素子及び発光素子の製造方法 | 2011年 1月26日 | |
| 特許 4617820 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2011年 1月26日 | |
| 特許 4620340 | 発光素子及びその製造方法 | 2011年 1月26日 | 共同出願 |
| 特許 4613451 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 1月19日 | |
| 特許 4613382 | アンチモン拡散方法 | 2011年 1月19日 | |
| 特許 4615161 | エピタキシャルウエーハの製造方法 | 2011年 1月19日 | |
| 特許 4613656 | 半導体ウエーハの製造方法 | 2011年 1月19日 | |
| 特許 4608856 | ウエーハの研磨方法 | 2011年 1月12日 | |
| 特許 4608884 | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法 | 2011年 1月12日 | |
| 特許 4609029 | アニールウェーハの製造方法 | 2011年 1月12日 | |
| 特許 4609026 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2011年 1月12日 | |
| 特許 4613147 | 太陽電池 | 2011年 1月12日 | 共同出願 |
| 特許 4605876 | シリコンウエーハおよびシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法 | 2011年 1月 5日 | |
| 特許 4607307 | 太陽電池用シリコン単結晶及び太陽電池用シリコン単結晶ウエーハ並びにその製造方法 | 2011年 1月 5日 | 共同出願 |
| 特許 4607304 | 太陽電池用シリコン単結晶及び太陽電池用シリコン単結晶ウエーハ並びにその製造方法 | 2011年 1月 5日 | 共同出願 |
138 件中 121-135 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
4617902 4617820 4620340 4613451 4613382 4615161 4613656 4608856 4608884 4609029 4609026 4613147 4605876 4607307 4607304
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
2月27日(木) -
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 千代田区
2月27日(木) -
3月4日(火) - 東京 港区
3月4日(火) -
3月4日(火) -
3月4日(火) -
3月5日(水) -
3月5日(水) -
3月6日(木) -
3月6日(木) - 東京 品川区
3月6日(木) -
3月6日(木) - 東京 港区
3月6日(木) -
3月7日(金) -
3月7日(金) - 東京 港区
3月7日(金) -
3月7日(金) -
3月4日(火) - 東京 港区
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
千葉県柏市若柴178番地４ 柏の葉キャンパス148街区2 ショップ＆オフィス棟6階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許
愛知県小牧市小牧４丁目２２５番地２ 澤屋清七ビル３ ２０６ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒541-0046 大阪市中央区平野町２丁目２番９号 ビル皿井２階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
