特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2012年出願公開件数ランキング　　　第404位　100件（2011年：第330位　120件）

　■　2012年特許取得件数ランキング　　　第234位　161件（2011年：第254位　138件）

（ランキング更新日：2025年1月20日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特許 4930487	融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置	2012年 5月16日
特許 4930229	ＳＯＩウェーハの評価方法	2012年 5月16日
特許 4929817	基準反射体と融液面との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びにシリコン単結晶の製造装置	2012年 5月 9日
特許 4918229	貼り合わせウエーハの製造方法	2012年 4月18日	共同出願
特許 4920387	基板収納容器	2012年 4月18日	共同出願
特許 4917278	スクリーン印刷版およびスクリーン印刷装置	2012年 4月18日	共同出願
特許 4915146	ウェーハの製造方法	2012年 4月11日
特許 4910931	気相成長方法	2012年 4月 4日
特許 4911042	単結晶ウエーハ及びエピタキシャルウエーハ	2012年 4月 4日
特許 4907298	研磨ヘッド及び研磨装置並びにワークの剥離方法	2012年 3月28日	共同出願
特許 4904960	両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法	2012年 3月28日
特許 4899445	エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ	2012年 3月21日
特許 4899348	発光素子の製造方法	2012年 3月21日
特許 4894848	シリコン単結晶の製造方法	2012年 3月14日
特許 4894351	半導体基板の評価方法	2012年 3月14日

161 件中 121-135 件を表示

... 9

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

4930487 4930229 4929817 4918229 4920387 4917278 4915146 4910931 4911042 4907298 4904960 4899445 4899348 4894848 4894351

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数