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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特許 4930487	融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置	2012年 5月16日
特許 4930229	ＳＯＩウェーハの評価方法	2012年 5月16日
特許 4929817	基準反射体と融液面との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びにシリコン単結晶の製造装置	2012年 5月 9日
特許 4918229	貼り合わせウエーハの製造方法	2012年 4月18日	共同出願
特許 4920387	基板収納容器	2012年 4月18日	共同出願
特許 4917278	スクリーン印刷版およびスクリーン印刷装置	2012年 4月18日	共同出願
特許 4915146	ウェーハの製造方法	2012年 4月11日
特許 4910931	気相成長方法	2012年 4月 4日
特許 4911042	単結晶ウエーハ及びエピタキシャルウエーハ	2012年 4月 4日
特許 4907298	研磨ヘッド及び研磨装置並びにワークの剥離方法	2012年 3月28日	共同出願
特許 4904960	両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法	2012年 3月28日
特許 4899445	エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ	2012年 3月21日
特許 4899348	発光素子の製造方法	2012年 3月21日
特許 4894848	シリコン単結晶の製造方法	2012年 3月14日
特許 4894351	半導体基板の評価方法	2012年 3月14日

161 件中 121-135 件を表示

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4930487 4930229 4929817 4918229 4920387 4917278 4915146 4910931 4911042 4907298 4904960 4899445 4899348 4894848 4894351

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