特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2014年出願公開件数ランキング　　　第313位　122件（2013年：第330位　130件）

　■　2014年特許取得件数ランキング　　　第258位　155件（2013年：第255位　154件）

（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特許 5447111	ＳＯＩウェーハの熱処理温度を求める方法及びランプ加熱型の気相成長装置における反応炉の温度管理方法	2014年 3月19日
特許 5445508	偏心量の評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2014年 3月19日
特許 5446370	電極及びその形成方法、半導体シリコンウェーハ、並びに半導体デバイス	2014年 3月19日
特許 5444823	ＳＯＩウェーハの検査方法	2014年 3月19日
特許 5439217	両頭研削装置用リング状ホルダーおよび両頭研削装置	2014年 3月12日	共同出願
特許 5439305	シリコン基板の製造方法及びシリコン基板	2014年 3月12日	共同出願
特許 5440589	気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2014年 3月12日
特許 5440693	シリコンエピタキシャルウエーハ、シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法、及び半導体素子又は集積回路の製造方法	2014年 3月12日
特許 5440564	結晶欠陥の検出方法	2014年 3月12日
特許 5440360	イオン注入状況の確認方法および半導体ウェーハの製造方法	2014年 3月12日
特許 5440126	基板の熱処理方法	2014年 3月12日
特許 5439752	汚染検出用モニターウェーハ、汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2014年 3月12日
特許 5434989	オゾンガス発生処理装置、酸化珪素膜形成方法、及びシリコン単結晶ウェーハの評価方法	2014年 3月 5日
特許 5434523	シリコン基板のエッチング方法およびシリコン基板の不純物分析方法	2014年 3月 5日
特許 5434491	半導体基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法	2014年 3月 5日

155 件中 121-135 件を表示

... 9

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

5447111 5445508 5446370 5444823 5439217 5439305 5440589 5440693 5440564 5440360 5440126 5439752 5434989 5434523 5434491

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数