信越半導体株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第313位 122件
（
2013年：第330位 130件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第258位 155件
（
2013年：第255位 154件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5447111 | ＳＯＩウェーハの熱処理温度を求める方法及びランプ加熱型の気相成長装置における反応炉の温度管理方法 | 2014年 3月19日 | |
| 特許 5445508 | 偏心量の評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 3月19日 | |
| 特許 5446370 | 電極及びその形成方法、半導体シリコンウェーハ、並びに半導体デバイス | 2014年 3月19日 | |
| 特許 5444823 | ＳＯＩウェーハの検査方法 | 2014年 3月19日 | |
| 特許 5439217 | 両頭研削装置用リング状ホルダーおよび両頭研削装置 | 2014年 3月12日 | 共同出願 |
| 特許 5439305 | シリコン基板の製造方法及びシリコン基板 | 2014年 3月12日 | 共同出願 |
| 特許 5440589 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 3月12日 | |
| 特許 5440693 | シリコンエピタキシャルウエーハ、シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法、及び半導体素子又は集積回路の製造方法 | 2014年 3月12日 | |
| 特許 5440564 | 結晶欠陥の検出方法 | 2014年 3月12日 | |
| 特許 5440360 | イオン注入状況の確認方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2014年 3月12日 | |
| 特許 5440126 | 基板の熱処理方法 | 2014年 3月12日 | |
| 特許 5439752 | 汚染検出用モニターウェーハ、汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 3月12日 | |
| 特許 5434989 | オゾンガス発生処理装置、酸化珪素膜形成方法、及びシリコン単結晶ウェーハの評価方法 | 2014年 3月 5日 | |
| 特許 5434523 | シリコン基板のエッチング方法およびシリコン基板の不純物分析方法 | 2014年 3月 5日 | |
| 特許 5434491 | 半導体基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法 | 2014年 3月 5日 |
155 件中 121-135 件を表示
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5447111 5445508 5446370 5444823 5439217 5439305 5440589 5440693 5440564 5440360 5440126 5439752 5434989 5434523 5434491
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