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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第455位 76件 (2015年:第570位 57件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第525位 51件 (2015年:第272位 103件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2016-186956 | シリコンウェーハの製造方法 | 2016年10月27日 | |
特開 2016-183071 | シリコン単結晶の製造方法 | 2016年10月20日 | |
特開 2016-183072 | シリコン単結晶の製造方法 | 2016年10月20日 | |
特開 2016-183098 | シリカガラスルツボの評価方法、及びシリコン単結晶の製造方法 | 2016年10月20日 | |
特開 2016-179940 | シリカガラスルツボの評価方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2016年10月13日 | |
特開 2016-178122 | 半導体基板の評価方法及び半導体基板の製造方法 | 2016年10月 6日 | |
特開 2016-172691 | シリカガラスルツボの製造方法 | 2016年 9月29日 | |
特開 2016-155729 | 原料融液液面と種結晶下端との間隔測定方法、種結晶の予熱方法、および単結晶の製造方法 | 2016年 9月 1日 | |
特開 2016-155754 | シリコン単結晶の製造方法 | 2016年 9月 1日 | |
特開 2016-157865 | シリコンウェーハの良否判定方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | 2016年 9月 1日 | |
特開 2016-157866 | 半導体ウェーハの枚葉式片面研磨方法および半導体ウェーハの枚葉式片面研磨装置 | 2016年 9月 1日 | |
特開 2016-157867 | 半導体ウェーハのゲッタリング能力評価方法、それを用いた半導体ウェーハの判定方法および製造方法ならびに半導体ウェーハ | 2016年 9月 1日 | |
特開 2016-153372 | シリカガラスルツボの評価方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2016年 8月25日 | |
特開 2016-154196 | エピタキシャル成長装置及びサセプタサポートシャフト | 2016年 8月25日 | |
特開 2016-143776 | エピタキシャル成長装置、およびエピタキシャル成長方法 | 2016年 8月 8日 |
76 件中 16-30 件を表示
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2016-186956 2016-183071 2016-183072 2016-183098 2016-179940 2016-178122 2016-172691 2016-155729 2016-155754 2016-157865 2016-157866 2016-157867 2016-153372 2016-154196 2016-143776
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11月22日(金) -
11月22日(金) - 東京 千代田区
11月22日(金) - 東京 港区
11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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