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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第455位 76件 (2015年:第570位 57件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第525位 51件 (2015年:第272位 103件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2016-130200 | シリコン単結晶の製造方法 | 2016年 7月21日 | |
特開 2016-131178 | シリコンウェーハの製造方法及び半導体装置の製造方法 | 2016年 7月21日 | |
特開 2016-124055 | 砥粒の評価方法、および、シリコンウェーハの製造方法 | 2016年 7月11日 | |
特開 2016-121023 | 単結晶の製造方法 | 2016年 7月 7日 | |
特開 2016-121032 | 単結晶の製造方法 | 2016年 7月 7日 | |
特開 2016-121033 | 単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2016年 7月 7日 | |
特開 2016-121071 | 単結晶引き上げ方法 | 2016年 7月 7日 | |
特開 2016-122762 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 | 2016年 7月 7日 | |
特開 2016-122779 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2016年 7月 7日 | |
特開 2016-108160 | シリコン単結晶の育成方法 | 2016年 6月20日 | |
特開 2016-111116 | 吸着チャック、面取り研磨装置、及び、シリコンウェーハの面取り研磨方法 | 2016年 6月20日 | |
特開 2016-111226 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、気相成長装置 | 2016年 6月20日 | |
再表 2014-2467 | ワークの研磨方法およびワークの研磨装置 | 2016年 5月30日 | |
特開 2016-100577 | 気相成長装置の汚染管理方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2016年 5月30日 | |
特開 2016-96166 | 半導体ウェーハの支持方法及びその支持装置 | 2016年 5月26日 |
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2016-130200 2016-131178 2016-124055 2016-121023 2016-121032 2016-121033 2016-121071 2016-122762 2016-122779 2016-108160 2016-111116 2016-111226 2014-2467 2016-100577 2016-96166
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