株式会社ＳＵＭＣＯ
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第303位 145件
（
2016年：第455位 76件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第394位 68件
（2016年：第525位 51件）
（ランキング更新日：2025年5月8日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2017-85045 | ウェーハ研磨装置およびこれに用いる研磨ヘッド | 2017年 5月18日 | |
| 再表 2016-47693 | シリコン単結晶の製造方法及び製造システム | 2017年 4月27日 | |
| 再表 2016-47694 | 石英ガラスルツボの破壊検査方法及び良否判定方法 | 2017年 4月27日 | |
| 特開 2017-79249 | 半導体ウェーハの加工方法 | 2017年 4月27日 | |
| 再表 2015-186288 | シリコンウェーハおよびその製造方法 | 2017年 4月20日 | |
| 特開 2017-75067 | 単結晶製造装置および製造方法 | 2017年 4月20日 | |
| 特開 2017-75070 | 単結晶引上げ装置が備えるヒータ関連部材の選択方法 | 2017年 4月20日 | |
| 特開 2017-76712 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 | 2017年 4月20日 | |
| 特開 2017-71040 | キャリアリング、研削装置および研削方法 | 2017年 4月13日 | |
| 特開 2017-71520 | シリコン単結晶の引上げ方法 | 2017年 4月13日 | |
| 特開 2017-72403 | エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法 | 2017年 4月13日 | |
| 特開 2017-72443 | ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置 | 2017年 4月13日 | |
| 特開 2017-72461 | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハ | 2017年 4月13日 | |
| 特開 2017-61396 | 酸化ガリウム単結晶育成用ルツボおよび酸化ガリウム単結晶の製造方法 | 2017年 3月30日 | |
| 特開 2017-61413 | シリコン単結晶引き上げ用のシリカガラスルツボの製造方法、シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶 | 2017年 3月30日 |
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2017-85045 2016-47693 2016-47694 2017-79249 2015-186288 2017-75067 2017-75070 2017-76712 2017-71040 2017-71520 2017-72403 2017-72443 2017-72461 2017-61396 2017-61413
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