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株式会社SUMCO

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  2017年 出願公開件数ランキング    第303位 145件 上昇2016年:第455位 76件)

  2017年 特許取得件数ランキング    第394位 68件 上昇2016年:第525位 51件)

(ランキング更新日:2025年5月8日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2017-123477 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 2017年 7月13日
特開 2017-113816 ウェーハの両面研磨方法及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 2017年 6月29日
特開 2017-117915 シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ 2017年 6月29日
特開 2017-109882 クリーニング装置、クリーニング方法およびシリコン単結晶の製造方法 2017年 6月22日
特開 2017-112181 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 2017年 6月22日
特開 2017-112256 半導体エピタキシャルウェーハの汚染評価方法およびそれを用いたエピタキシャル成長装置の汚染評価方法 2017年 6月22日
特開 2017-112276 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 2017年 6月22日
特開 2017-112302 ウェーハ研磨方法および研磨装置 2017年 6月22日
特開 2017-112316 半導体ウェーハの厚み分布測定システムおよび半導体ウェーハ研磨システム、半導体ウェーハの厚み分布測定方法および半導体ウェーハの厚み取り代分布測定方法、ならびに半導体ウェーハの研磨方法。 2017年 6月22日
特開 2017-112324 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ 2017年 6月22日
特開 2017-112338 シリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハ 2017年 6月22日
特開 2017-112339 シリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハ 2017年 6月22日
特開 2017-105650 シリコン単結晶の製造方法 2017年 6月15日
特開 2017-105653 双晶欠陥発生領域の推定方法、双晶欠陥発生領域の除去方法およびシリコンウェーハの製造方法 2017年 6月15日
特開 2017-105654 シリコン単結晶の製造方法 2017年 6月15日

146 件中 61-75 件を表示

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2017-123477 2017-113816 2017-117915 2017-109882 2017-112181 2017-112256 2017-112276 2017-112302 2017-112316 2017-112324 2017-112338 2017-112339 2017-105650 2017-105653 2017-105654

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