株式会社ＳＵＭＣＯ
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
（
2010年：第150位 334件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
（
2010年：第455位 62件）
（ランキング更新日：2025年5月30日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2011-54622 | シリコン基板とその製造方法 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-51806 | 単結晶シリコンの製造方法 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-51805 | 単結晶シリコンの製造方法 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-54784 | ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度分析における定量分析限界決定方法 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-53090 | 光散乱式粒子径測定装置の校正線の作成方法 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-53085 | ウェーハ表面のＬＰＤ検出方法 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-54879 | 裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法。 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-54763 | 裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-54734 | 裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法。 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-54704 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-54691 | 半導体ウェーハの表面または表層評価方法 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-54657 | 裏面照射型固体撮像素子用ウェーハの製造方法 | 2011年 3月17日 | |
| 特開 2011-47828 | 光散乱式粒子径測定装置の校正曲線の作成方法 | 2011年 3月10日 | |
| 特開 2011-49522 | エピタキシャルウェーハの評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 3月10日 | |
| 特開 2011-44590 | シリコンウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | 2011年 3月 3日 |
221 件中 151-165 件を表示
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2011-54622 2011-51806 2011-51805 2011-54784 2011-53090 2011-53085 2011-54879 2011-54763 2011-54734 2011-54704 2011-54691 2011-54657 2011-47828 2011-49522 2011-44590
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