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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第585位 64件
(2012年:第289位 146件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第276位 144件
(2012年:第367位 99件)
(ランキング更新日:2025年2月7日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
再表 2011-118205 | SOIウェーハの製造方法 | 2013年 7月 4日 | |
特開 2013-123004 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 6月20日 | |
再表 2011-105255 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2013年 6月20日 | |
特開 2013-118388 | エピタキシャルウェーハとその製造方法 | 2013年 6月13日 | |
特開 2013-115203 | 半導体ウェーハの製造方法及び半導体製造装置 | 2013年 6月10日 | |
特開 2013-112564 | 多結晶シリコンの連続鋳造方法および連続鋳造装置 | 2013年 6月10日 | |
特開 2013-112539 | シリコンインゴットの連続鋳造方法 | 2013年 6月10日 | |
特開 2013-94873 | 両面研磨装置の研磨布ドレッシング方法 | 2013年 5月20日 | |
特開 2013-95612 | サファイア単結晶の製造方法及び製造装置 | 2013年 5月20日 | |
特開 2013-95610 | サファイア単結晶の製造装置及び製造方法 | 2013年 5月20日 | |
特開 2013-95611 | サファイア単結晶の製造方法 | 2013年 5月20日 | |
特開 2013-86233 | ワイヤーソー装置および該装置に用いられるワークプレート | 2013年 5月13日 | |
特開 2013-89693 | スライス台および半導体ウェーハの製造方法 | 2013年 5月13日 | |
再表 2011-83719 | シリコンウェーハ表層部のエッチング方法およびエッチング装置、ならびにシリコンウェーハの金属汚染分析方法 | 2013年 5月13日 | |
特開 2013-82037 | 砥粒チャージ方法及び硬脆性基板の製造方法 | 2013年 5月 9日 |
64 件中 31-45 件を表示
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2011-118205 2013-123004 2011-105255 2013-118388 2013-115203 2013-112564 2013-112539 2013-94873 2013-95612 2013-95610 2013-95611 2013-86233 2013-89693 2011-83719 2013-82037
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2月7日(金) -
2月7日(金) - 東京 港区
2月7日(金) - 神奈川 横浜市
2月7日(金) -
2月7日(金) -
2月7日(金) -
2月10日(月) -
2月12日(水) -
2月13日(木) - 岐阜 大垣市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月13日(木) - 神奈川 綾瀬市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月14日(金) - 東京 大田
<エンジニア(技術者)および研究開発担当(R&D部門)向け> 基礎から学ぶ/自分で行うIPランドスケープ®の活用・実践 <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月14日(金) - 東京 千代田区
2月10日(月) -
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