※ ログインすれば出願人(株式会社SUMCO)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
(2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
(2010年:第455位 62件)
(ランキング更新日:2025年2月21日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-159696 | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 8月18日 | |
特開 2011-157224 | シリコン単結晶の製造方法 | 2011年 8月18日 | |
特開 2011-159698 | シリコンウェーハの製造装置 | 2011年 8月18日 | |
特開 2011-151405 | 半導体素子の表面平坦化方法 | 2011年 8月 4日 | 共同出願 |
特開 2011-148063 | ウェーハ研磨加工液中の金属除去方法および装置 | 2011年 8月 4日 | |
特開 2011-146504 | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146414 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146460 | シリコンウェーハの表面浄化方法 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146537 | エピタキシャル成長装置 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-146506 | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-143489 | 研磨パッドの形状修正方法 | 2011年 7月28日 | |
特開 2011-142257 | エピタキシャルウェーハの製造装置 | 2011年 7月21日 | |
特開 2011-134797 | 枚葉式エッチング装置及び方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-134828 | 半導体ウェーハおよびその製造方法 | 2011年 7月 7日 | |
特開 2011-134935 | シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ、並びにそれらの製造方法 | 2011年 7月 7日 |
221 件中 61-75 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2011-159696 2011-157224 2011-159698 2011-151405 2011-148063 2011-146504 2011-146414 2011-146460 2011-146537 2011-146506 2011-143489 2011-142257 2011-134797 2011-134828 2011-134935
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社SUMCOの知財の動向チェックに便利です。
2月22日(土) - 東京 板橋区
2月22日(土) - 東京 板橋区
2月25日(火) -
2月25日(火) -
2月26日(水) -
2月26日(水) -
2月26日(水) - 東京 港区
2月26日(水) -
2月26日(水) - 千葉 船橋市
2月27日(木) -
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 千代田区
2月25日(火) -
神奈川県横浜市港北区日吉本町1-4-5パレスMR201号 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都武蔵野市吉祥寺本町1丁目35-14-202 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 鑑定 コンサルティング
〒460-0008 愛知県名古屋市中区栄一丁目23番29号 伏見ポイントビル3F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 鑑定 コンサルティング