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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
(2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
(2010年:第455位 62件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-129650 | DLTS測定用電極及びその製造方法 | 2011年 6月30日 | |
特開 2011-129569 | 半導体ウェーハ製造方法 | 2011年 6月30日 | |
特開 2011-124380 | シリコンウェーハの金属汚染試料の作製方法 | 2011年 6月23日 | |
再表 2009-104533 | シリコン単結晶成長装置および石英ルツボ | 2011年 6月23日 | |
特開 2011-121147 | 半導体ウェーハの研磨方法 | 2011年 6月23日 | |
特開 2011-124354 | SOIウェーハの検査方法 | 2011年 6月23日 | |
再表 2009-104532 | シリコン単結晶成長方法 | 2011年 6月23日 | |
特開 2011-124498 | 洗浄方法 | 2011年 6月23日 | |
再表 2009-104534 | シリコン単結晶 | 2011年 6月23日 | |
特開 2011-119439 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 6月16日 | |
特開 2011-116599 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 6月16日 | |
特開 2011-119391 | エピタキシャル成長用サセプタ及び該サセプタを用いたエピタキシャル成長装置 | 2011年 6月16日 | |
特開 2011-112384 | 半導体ウェーハの形状測定方法およびそれに用いる形状測定装置 | 2011年 6月 9日 | |
特開 2011-114210 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 6月 9日 | |
特開 2011-108765 | エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法 | 2011年 6月 2日 |
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2011-129650 2011-129569 2011-124380 2009-104533 2011-121147 2011-124354 2009-104532 2011-124498 2009-104534 2011-119439 2011-116599 2011-119391 2011-112384 2011-114210 2011-108765
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2月22日(土) - 東京 板橋区
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