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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第737位 41件
(2013年:第585位 64件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第212位 189件
(2013年:第276位 144件)
(ランキング更新日:2025年6月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5391735 | 単結晶引き上げ装置 | 2014年 1月15日 | |
特許 5387408 | IGBT用シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2014年 1月15日 | |
特許 5386856 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2014年 1月15日 | |
特許 5381183 | 半導体インゴットのスライス方法 | 2014年 1月 8日 | |
特許 5381046 | 半導体ウェーハのスクライブ装置、およびそれを備えたスクライブシステム | 2014年 1月 8日 | |
特許 5381475 | 回収された多結晶シリコンの再生方法 | 2014年 1月 8日 | |
特許 5381558 | シリコン単結晶の引上げ方法 | 2014年 1月 8日 | |
特許 5380912 | 膜厚測定方法、エピタキシャルウェーハの製造方法、および、エピタキシャルウェーハ | 2014年 1月 8日 | |
特許 5381304 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 1月 8日 |
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5391735 5387408 5386856 5381183 5381046 5381475 5381558 5380912 5381304
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