株式会社ＳＵＭＣＯ
※ ログインすれば出願人(株式会社ＳＵＭＣＯ)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
（
2010年：第150位 334件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
（
2010年：第455位 62件）
（ランキング更新日：2025年5月9日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4797514 | シリコンウェーハの製造方法 | 2011年10月19日 | |
| 特許 4798163 | エピタキシャル成長用サセプタ | 2011年10月19日 | |
| 特許 4797477 | シリコン単結晶の製造方法 | 2011年10月19日 | |
| 特許 4793680 | 半導体ウェーハの研磨方法 | 2011年10月12日 | |
| 特許 4784253 | ウェーハ検査方法及びその装置 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4784391 | ウェーハの欠陥検出方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4784401 | シリコン単結晶の育成プロセスにおける融液の液面位置監視装置 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4788444 | シリコン単結晶の製造方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4788445 | シリコン単結晶の引上げ方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4784420 | 半導体基板の品質評価方法、半導体基板の製造方法 | 2011年10月 5日 | |
| 特許 4779519 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 9月28日 | |
| 特許 4779644 | エピタキシャル装置 | 2011年 9月28日 | |
| 特許 4776745 | 結晶生産方法 | 2011年 9月21日 | |
| 特許 4770578 | 評価用試料およびその製造方法、ならびに評価方法 | 2011年 9月14日 | |
| 特許 4760729 | ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2011年 8月31日 |
79 件中 16-30 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
4797514 4798163 4797477 4793680 4784253 4784391 4784401 4788444 4788445 4784420 4779519 4779644 4776745 4770578 4760729
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社ＳＵＭＣＯの知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
5月12日(月) -
5月13日(火) - 東京 港区
5月14日(水) - 東京 港区
5月14日(水) -
5月15日(木) - 東京 港区
5月16日(金) - 東京 千代田区
5月16日(金) -
5月16日(金) - 東京 千代田区
5月16日(金) -
5月12日(月) -
5月19日(月) -
5月20日(火) - 東京 品川区
5月20日(火) -
5月21日(水) - 東京 港区
5月21日(水) - 東京 大田区
5月22日(木) - 東京 港区
5月22日(木) -
5月23日(金) - 東京 千代田区
5月23日(金) - 大阪 大阪市
5月19日(月) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
659-0068 兵庫県芦屋市業平町４－１ イム・エメロードビル５０３ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都豊島区東池袋３－１－１ サンシャイン６０ ４５階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 コンサルティング
Floor 16, Tower A, InDo Building, A48 Zhichun Road, Haidian District, Beijing 100098, P.R. China 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
