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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件 (2010年:第150位 334件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件 (2010年:第455位 62件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4760458 | 半導体ウェーハ収納容器の金属汚染分析方法 | 2011年 8月31日 | |
特許 4760729 | IGBT用のシリコン単結晶ウェーハ及びIGBT用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2011年 8月31日 | |
特許 4757519 | 歪Si−SOI基板の製造方法および該方法により製造された歪Si−SOI基板 | 2011年 8月24日 | 共同出願 |
特許 4755740 | シリコン単結晶の育成方法 | 2011年 8月24日 | |
特許 4750916 | シリコン単結晶インゴットの育成方法およびそれを用いたシリコンウェーハ | 2011年 8月17日 | |
特許 4748178 | 点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの製造方法 | 2011年 8月17日 | |
特許 4742711 | シリコン単結晶育成方法 | 2011年 8月10日 | |
特許 4743010 | シリコンウェーハの表面欠陥評価方法 | 2011年 8月10日 | |
特許 4735337 | 半導体素子の評価方法、ならびに半導体ウェーハの品質評価方法および製造方法 | 2011年 7月27日 | |
特許 4730178 | シリコン単結晶の引上げ方法 | 2011年 7月20日 | |
特許 4730645 | SOIウェーハの製造方法 | 2011年 7月20日 | |
特許 4720163 | SOIウェーハの製造方法 | 2011年 7月13日 | |
特許 4720058 | シリコンウェーハの製造方法 | 2011年 7月13日 | |
特許 4720164 | SOIウェーハの製造方法 | 2011年 7月13日 | |
特許 4715470 | 剥離ウェーハの再生加工方法及びこの方法により再生加工された剥離ウェーハ | 2011年 7月 6日 |
79 件中 31-45 件を表示
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4760458 4760729 4757519 4755740 4750916 4748178 4742711 4743010 4735337 4730178 4730645 4720163 4720058 4720164 4715470
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