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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第289位 146件
(2011年:第195位 221件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第367位 99件
(2011年:第419位 79件)
(ランキング更新日:2025年4月15日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5040521 | シリコン鋳造装置 | 2012年10月 3日 | |
特許 5041273 | 容器包装装置 | 2012年10月 3日 | |
特許 5040848 | シリコン単結晶製造装置 | 2012年10月 3日 | |
特許 5042445 | シリコンウェーハのゲッタリング効率を評価する方法 | 2012年10月 3日 | |
特許 5040846 | シリコン単結晶の育成方法および温度推定方法 | 2012年10月 3日 | |
特許 5040564 | シリコンウェーハの製造方法 | 2012年10月 3日 | |
特許 5035144 | 単結晶引き上げ用ワイヤの洗浄装置およびその洗浄方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5034259 | 単結晶製造装置 | 2012年 9月26日 | |
特許 5035423 | 半導体製造工場 | 2012年 9月26日 | |
特許 5034338 | 容器包装装置 | 2012年 9月26日 | |
特許 5034247 | シリコン単結晶の製造方法 | 2012年 9月26日 | |
特許 5034246 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶 | 2012年 9月26日 | |
特許 5028845 | 貼り合わせウェーハ及びその製造方法 | 2012年 9月19日 | |
特許 5029234 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年 9月19日 | |
特許 5031190 | 歪みSi層を有する半導体ウェーハの製造方法 | 2012年 9月19日 | 共同出願 |
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5040521 5041273 5040848 5042445 5040846 5040564 5035144 5034259 5035423 5034338 5034247 5034246 5028845 5029234 5031190
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