株式会社ＳＵＭＣＯ
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第289位 146件
（
2011年：第195位 221件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第367位 99件
（
2011年：第419位 79件）
（ランキング更新日：2025年5月2日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5031190 | 歪みＳｉ層を有する半導体ウェーハの製造方法 | 2012年 9月19日 | 共同出願 |
| 特許 5023451 | シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶育成方法 | 2012年 9月12日 | |
| 特許 5023900 | エピタキシャルシリコンウェーハ | 2012年 9月12日 | |
| 特許 5018609 | 単結晶引上げ装置 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5018640 | 単結晶製造装置の内部汚染度評価方法 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5017950 | エピタキシャル成長装置の温度管理方法 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5018670 | 単結晶の育成方法 | 2012年 9月 5日 | |
| 特許 5010091 | 高抵抗シリコンウェーハ | 2012年 8月29日 | |
| 特許 5012554 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年 8月29日 | |
| 特許 5012721 | シリコンエピタキシャルウェーハ | 2012年 8月29日 | |
| 特許 5003288 | シリコンウェーハの評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 5003733 | 単結晶成長方法 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 4992246 | シリコンウェーハ中のＣｕ評価方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992981 | シリコンウェーハ洗浄方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4983161 | シリコン半導体基板およびその製造方法 | 2012年 7月25日 |
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5031190 5023451 5023900 5018609 5018640 5017950 5018670 5010091 5012554 5012721 5003288 5003733 4992246 4992981 4983161
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