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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第737位 41件
(2013年:第585位 64件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第212位 189件
(2013年:第276位 144件)
(ランキング更新日:2025年3月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5549763 | 両面鏡面シリコンウェーハの研磨方法 | 2014年 7月16日 | |
特許 5544734 | シリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルウェーハの製造方法、および固体撮像素子の製造方法 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5545131 | ボロンドープp型シリコン中の鉄濃度分析における定量分析限界決定方法 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5541087 | 半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5545293 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ | 2014年 7月 9日 | |
特許 5545090 | ウェーハ支持治具及び軸状部材並びにシリコンウェーハの熱処理方法 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5541777 | 石英ガラスルツボの製造方法および製造装置 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5545536 | ウェーハの研磨方法、研磨パッド、研磨装置 | 2014年 7月 9日 | |
特許 5540932 | エピタキシャル成長装置およびそのクリーニング方法 | 2014年 7月 2日 | |
特許 5540659 | シリコンウェーハの工程計画立案システム、工程計画立案方法及びプログラム | 2014年 7月 2日 | |
特許 5540838 | 反射光除去装置 | 2014年 7月 2日 | |
特許 5531385 | 枚葉式熱処理装置のプロセスチャンバーの冷却方法 | 2014年 6月25日 | |
特許 5533884 | ウェーハの研磨方法 | 2014年 6月25日 | |
特許 5533012 | 円筒研削機及びインゴットの円筒研削方法 | 2014年 6月25日 | |
特許 5533869 | エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法 | 2014年 6月25日 |
189 件中 46-60 件を表示
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5549763 5544734 5545131 5541087 5545293 5545090 5541777 5545536 5540932 5540659 5540838 5531385 5533884 5533012 5533869
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