株式会社ＳＵＭＣＯ
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第195位 221件
（
2010年：第150位 334件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第419位 79件
（
2010年：第455位 62件）
（ランキング更新日：2025年3月24日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
特許
4656284
|
高抵抗シリコンウェーハの製造方法 | 2011年 3月23日 | |
| 特許
4655801
|
エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハ製造方法 | 2011年 3月23日 | |
| 特許
4650584
|
固体撮像素子およびその製造方法 | 2011年 3月16日 | |
| 特許
4650345
|
シリコン単結晶の製造方法 | 2011年 3月16日 | |
| 特許
4650493
|
固体撮像素子用半導体基板およびその製造方法 | 2011年 3月16日 | |
| 特許
4645548
|
シリコンウェーハ表面の有機物除去方法 | 2011年 3月 9日 | |
| 特許
4640504
|
単結晶シリコンウェーハのＣＯＰ評価方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許
4635617
|
切断装置及びその制御方法並びにシリコン単結晶の切断方法 | 2011年 2月23日 | |
| 特許
4631347
|
部分ＳＯＩ基板およびその製造方法 | 2011年 2月16日 | |
| 特許
4631717
|
ＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2011年 2月16日 | |
| 特許
4622859
|
半導体基板用熱処理治具および半導体基板の熱処理方法 | 2011年 2月 2日 | |
| 特許
4626175
|
ＳＯＩ基板の製造方法 | 2011年 2月 2日 | |
| 特許
4617751
|
シリコンウェーハおよびその製造方法 | 2011年 1月26日 | |
| 特許
4617910
|
単結晶インゴットの切断方法 | 2011年 1月26日 | |
| 特許
4613744
|
シリコンウェーハの洗浄方法 | 2011年 1月19日 |
79 件中 61-75 件を表示
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4656284 4655801 4650584 4650345 4650493 4645548 4640504 4635617 4631347 4631717 4622859 4626175 4617751 4617910 4613744
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