※ ログインすれば出願人(株式会社SUMCO)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2012年 出願公開件数ランキング 第289位 146件
(2011年:第195位 221件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第367位 99件
(2011年:第419位 79件)
(ランキング更新日:2025年5月2日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4983354 | 単結晶育成装置 | 2012年 7月25日 | |
特許 4983161 | シリコン半導体基板およびその製造方法 | 2012年 7月25日 | |
特許 4977999 | 貼合せ基板の製造方法及びその方法で製造された貼合せ基板 | 2012年 7月18日 | |
特許 4973133 | エピタキシャル層の前処理方法およびエピタキシャル層の評価方法並びにエピタキシャル層の評価装置 | 2012年 7月11日 | |
特許 4973660 | 単結晶シリコンウェーハのCOP発生要因の判定方法 | 2012年 7月11日 | |
特許 4970724 | 高抵抗シリコンウエーハの製造方法 | 2012年 7月11日 | |
特許 4974904 | ウェーハの枚葉式エッチング方法 | 2012年 7月11日 | |
特許 4967509 | 知的財産関連の電子情報管理システム | 2012年 7月 4日 | |
特許 4961753 | 単結晶製造管理システム及び方法 | 2012年 6月27日 | |
特許 4961776 | パターン形成用マスクおよびその洗浄方法 | 2012年 6月27日 | |
特許 4961817 | エピタキシャル成長装置 | 2012年 6月27日 | |
特許 4957385 | シリコン単結晶の製造方法 | 2012年 6月20日 | |
特許 4951186 | 単結晶成長方法 | 2012年 6月13日 | |
特許 4951949 | 貼合せ基板の製造方法 | 2012年 6月13日 | |
特許 4946590 | シリコン単結晶の育成方法、評価方法および生産方法 | 2012年 6月 6日 |
99 件中 61-75 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
4983354 4983161 4977999 4973133 4973660 4970724 4974904 4967509 4961753 4961776 4961817 4957385 4951186 4951949 4946590
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社SUMCOの知財の動向チェックに便利です。
5月12日(月) -
5月13日(火) - 東京 港区
5月14日(水) - 東京 港区
5月14日(水) -
5月15日(木) - 東京 港区
5月16日(金) - 東京 千代田区
5月16日(金) -
5月16日(金) - 東京 千代田区
5月16日(金) -
5月12日(月) -
〒550-0005 大阪市西区西本町1-8-11 カクタスビル6F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都板橋区東新町1-50-1 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許
〒152-0034 東京都目黒区緑が丘一丁目16番7号 意匠 商標 外国商標 訴訟 コンサルティング