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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第585位 64件
(2012年:第289位 146件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第276位 144件
(2012年:第367位 99件)
(ランキング更新日:2025年2月7日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5228671 | シリコン単結晶の育成方法 | 2013年 7月 3日 | |
特許 5219334 | 半導体基板の製造方法および品質評価方法 | 2013年 6月26日 | |
特許 5218039 | 気相成長装置 | 2013年 6月26日 | |
特許 5223513 | 単結晶の製造方法 | 2013年 6月26日 | |
特許 5212144 | 枚葉式CVD用チャンバのクリーニング方法 | 2013年 6月19日 | |
特許 5217245 | シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 | 2013年 6月19日 | |
特許 5212472 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 6月19日 | |
特許 5206613 | エピタキシャルウェーハ用サセプタ、およびその製造方法、並びにそれを用いたエピタキシャル成長装置 | 2013年 6月12日 | |
特許 5206282 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2013年 6月12日 | |
特許 5206120 | 金属の分析方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2013年 6月12日 | |
特許 5211550 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2013年 6月12日 | |
特許 5201083 | シリコン単結晶の育成方法及びシリコン半導体基板の製造方法 | 2013年 6月 5日 | |
特許 5201077 | シリコンウェーハの製造方法 | 2013年 6月 5日 | |
特許 5205810 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2013年 6月 5日 | |
特許 5205738 | シリコンウェーハの支持方法、熱処理治具および熱処理ウェーハ | 2013年 6月 5日 |
144 件中 91-105 件を表示
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5228671 5219334 5218039 5223513 5212144 5217245 5212472 5206613 5206282 5206120 5211550 5201083 5201077 5205810 5205738
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2月10日(月) -
2月12日(水) -
2月13日(木) - 岐阜 大垣市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月13日(木) - 神奈川 綾瀬市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月14日(金) - 東京 大田
<エンジニア(技術者)および研究開発担当(R&D部門)向け> 基礎から学ぶ/自分で行うIPランドスケープ®の活用・実践 <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月14日(金) - 東京 千代田区
2月10日(月) -
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