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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第737位 41件
(2013年:第585位 64件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第212位 189件
(2013年:第276位 144件)
(ランキング更新日:2025年6月6日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5454091 | 仕上研磨前シリコンウェーハの表面平坦化方法およびシリコンウェーハの表面平坦化装置 | 2014年 3月26日 | |
特許 5453679 | シリカガラスルツボの製造装置及びシリカガラスルツボの製造方法 | 2014年 3月26日 | |
特許 5453677 | シリカガラスルツボ、シリコンインゴットの製造方法 | 2014年 3月26日 | |
特許 5454152 | エピタキシャルウェーハの製造装置 | 2014年 3月26日 | |
特許 5453967 | エピタキシャルウェーハおよびその製造方法 | 2014年 3月26日 | |
特許 5454625 | シリコン単結晶の引上げ方法により引上げられたインゴットから得られたシリコン単結晶ウェーハ | 2014年 3月26日 | |
特許 5453749 | 垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハの製造方法及び垂直シリコンデバイス用シリコン単結晶引き上げ装置 | 2014年 3月26日 | |
特許 5446760 | エピタキシャル成長方法 | 2014年 3月19日 | |
特許 5444607 | エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 3月19日 | |
特許 5446277 | シリコン単結晶の製造方法 | 2014年 3月19日 | |
特許 5446160 | 再生シリコンウェーハの製造方法 | 2014年 3月19日 | |
特許 5445631 | シリコンウェーハの製造方法 | 2014年 3月19日 | |
特許 5446251 | 半導体評価装置 | 2014年 3月19日 | |
特許 5445075 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2014年 3月19日 | |
特許 5444874 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2014年 3月19日 |
189 件中 121-135 件を表示
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5454091 5453679 5453677 5454152 5453967 5454625 5453749 5446760 5444607 5446277 5446160 5445631 5446251 5445075 5444874
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