特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2014年出願公開件数ランキング　　　第313位　122件（2013年：第330位　130件）

　■　2014年特許取得件数ランキング　　　第258位　155件（2013年：第255位　154件）

（ランキング更新日：2025年2月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特開 2014-127590	高周波半導体装置及び高周波半導体装置の製造方法	2014年 7月 7日
特開 2014-120587	ＳＯＩウェーハの製造方法	2014年 6月30日
特開 2014-120671	半導体ウェーハ収納容器の清浄度評価方法	2014年 6月30日
特開 2014-116488	Ｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法	2014年 6月26日
特開 2014-114173	単結晶の製造方法	2014年 6月26日
特開 2014-116450	円筒研削機および単結晶ウエーハの製造方法	2014年 6月26日
特開 2014-114189	シリコン単結晶の製造方法	2014年 6月26日
特開 2014-112596	Ｐ型シリコンウエーハの評価方法および検査方法	2014年 6月19日
特開 2014-110414	薄膜形成方法及び薄膜形成システム	2014年 6月12日
特開 2014-110373	評価用ウェーハの熱処理方法	2014年 6月12日
特開 2014-107358	加熱装置	2014年 6月 9日
特開 2014-107357	ＳＯＩウェーハの製造方法	2014年 6月 9日
特開 2014-103333	シリコンウェーハの熱処理方法	2014年 6月 5日
特開 2014-103328	気相成長装置の汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2014年 6月 5日
特開 2014-103329	ＳＯＩウェーハの製造方法	2014年 6月 5日

122 件中 61-75 件を表示

... 5

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2014-127590 2014-120587 2014-120671 2014-116488 2014-114173 2014-116450 2014-114189 2014-112596 2014-110414 2014-110373 2014-107358 2014-107357 2014-103333 2014-103328 2014-103329

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数