信越半導体株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5105310 | 発光素子及びその製造方法 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5109928 | 単結晶直径の検出方法、及びこれを用いた単結晶の製造方法、並びに単結晶製造装置 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5109588 | 熱処理装置 | 2012年12月26日 | |
| 特許 5104129 | 単結晶直径の検出方法および単結晶引上げ装置 | 2012年12月19日 | |
| 特許 5096780 | ＳＯＩウエーハの製造方法 | 2012年12月12日 | 共同出願 |
| 特許 5099024 | エピタキシャルウエーハの製造方法及び半導体装置の製造方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5099111 | 両面研磨装置 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5099023 | エピタキシャルウエーハの製造方法及び固体撮像素子の製造方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5088338 | シリコン単結晶の引き上げ方法 | 2012年12月 5日 | |
| 特許 5092857 | シリコンウェーハのＧＯＩ評価方法及びＭＯＳ型半導体装置の製造方法 | 2012年12月 5日 | |
| 特許 5090682 | 半導体基板の処理方法 | 2012年12月 5日 | 共同出願 |
| 特許 5092940 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2012年12月 5日 | |
| 特許 5077299 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2012年11月21日 | |
| 特許 5077320 | Ｎ型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープＮ型シリコン単結晶 | 2012年11月21日 | |
| 特許 5077145 | シリコン単結晶基板の評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法 | 2012年11月21日 |
161 件中 1-15 件を表示
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5105310 5109928 5109588 5104129 5096780 5099024 5099111 5099023 5088338 5092857 5090682 5092940 5077299 5077320 5077145
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