信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4862863 | 単結晶製造装置の駆動部の制御方法および単結晶製造装置 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4862857 | シリコン単結晶ウェーハ評価用の標準サンプル、その製造方法及び標準サンプルを用いた評価方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4862836 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4862826 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4862221 | ｎ型シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4857738 | 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法 | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4857517 | アニールウエーハ及びアニールウエーハの製造方法 | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4854936 | シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4854917 | ＳＯＩウェーハ及びその製造方法 | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4853027 | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 | 2012年 1月11日 | |
| 特許 4852302 | 研磨剤の製造方法及びそれにより製造された研磨剤並びにシリコンウエーハの製造方法 | 2012年 1月11日 | 共同出願 |
161 件中 151-161 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
4862863 4862857 4862836 4862826 4862221 4857738 4857517 4854936 4854917 4853027 4852302
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
2月4日(火) - 東京 港区
2月4日(火) - 神奈川 川崎市
2月4日(火) -
2月4日(火) -
2月5日(水) - 東京 港区
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月6日(木) - 東京 港区
2月6日(木) -
2月7日(金) -
2月7日(金) - 東京 港区
2月7日(金) - 神奈川 横浜市
2月7日(金) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
愛知県名古屋市天白区中平三丁目2702番地 グランドールＳ 203号 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
大阪府大阪市北区西天満３丁目５－１０ オフィスポート大阪８０１号 特許・実用新案 意匠 商標 訴訟 コンサルティング
〒567-0883 大阪府茨木市大手町2番6号 丸吉ビル202号 特許・実用新案 意匠 商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
