信越半導体株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4862863 | 単結晶製造装置の駆動部の制御方法および単結晶製造装置 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4862857 | シリコン単結晶ウェーハ評価用の標準サンプル、その製造方法及び標準サンプルを用いた評価方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4862836 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4862826 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4862221 | ｎ型シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4857738 | 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法 | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4857517 | アニールウエーハ及びアニールウエーハの製造方法 | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4854936 | シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4854917 | ＳＯＩウェーハ及びその製造方法 | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4853027 | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 | 2012年 1月11日 | |
| 特許 4852302 | 研磨剤の製造方法及びそれにより製造された研磨剤並びにシリコンウエーハの製造方法 | 2012年 1月11日 | 共同出願 |
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4862863 4862857 4862836 4862826 4862221 4857738 4857517 4854936 4854917 4853027 4852302
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