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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特許 5077145	シリコン単結晶基板の評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法	2012年11月21日
特許 5072204	ウエーハの表面のナノトポグラフィを改善する方法及びワイヤソー装置	2012年11月14日
特許 5071393	プリコート型脱水処理装置及びプリコート型脱水処理装置のプリコート層の除去方法	2012年11月14日
特許 5071304	半導体ウエーハ及び半導体ウエーハの製造方法並びに半導体ウエーハの評価方法	2012年11月14日
特許 5070737	ＣＺ法により製造したシリコン結晶棒を原料としたＦＺ単結晶シリコンの製造方法	2012年11月14日
特許 5071484	化合物半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法	2012年11月14日
特許 5072185	熱処理ボートの評価方法	2012年11月14日
特許 5071217	縦型熱処理用ボートおよびそれを用いたシリコンウエーハの熱処理方法	2012年11月14日
特許 5067406	シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置	2012年11月 7日
特許 5067410	単結晶製造装置	2012年11月 7日
特許 5067403	単結晶引き上げ装置	2012年11月 7日
特許 5067627	多層シリコンウェーハ構造の作製法	2012年11月 7日
特許 5067402	不活性ガス回収装置	2012年11月 7日
特許 5066936	ＳＯＩウエーハの製造方法	2012年11月 7日
特許 5061663	縦型熱処理用ボートおよび半導体ウエーハの熱処理方法	2012年10月31日

161 件中 16-30 件を表示

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5077145 5072204 5071393 5071304 5070737 5071484 5072185 5071217 5067406 5067410 5067403 5067627 5067402 5066936 5061663

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