信越半導体株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第330位 120件
（
2010年：第311位 147件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第254位 138件
（
2010年：第270位 113件）
（ランキング更新日：2024年11月29日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4716881 | 太陽電池の作製方法 | 2011年 7月 6日 | 共同出願 |
| 特許 4715370 | 発光素子及びその製造方法 | 2011年 7月 6日 | |
| 特許 4710603 | アニールウエーハとその製造方法 | 2011年 6月29日 | |
| 特許 4711167 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 6月29日 | |
| 特許 4711057 | 化合物半導体ウェーハおよびその製造方法 | 2011年 6月29日 | |
| 特許 4710905 | 単結晶の製造方法 | 2011年 6月29日 | |
| 特許 4706304 | 半導体ウエーハの評価方法及び評価装置 | 2011年 6月22日 | |
| 特許 4699675 | アニールウェーハの製造方法 | 2011年 6月15日 | |
| 特許 4703934 | アニールウエーハの製造方法 | 2011年 6月15日 | |
| 特許 4702266 | 単結晶の引上げ方法 | 2011年 6月15日 | |
| 特許 4696510 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4696086 | シリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法及びシリコン単結晶ウエーハ | 2011年 6月 8日 | 共同出願 |
| 特許 4697650 | 発光素子 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4683233 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2011年 5月18日 | |
| 特許 4682508 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2011年 5月11日 |
138 件中 61-75 件を表示
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4716881 4715370 4710603 4711167 4711057 4710905 4706304 4699675 4703934 4702266 4696510 4696086 4697650 4683233 4682508
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