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信越半導体株式会社

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  2012年 出願公開件数ランキング    第404位 100件 下降2011年:第330位 120件)

  2012年 特許取得件数ランキング    第234位 161件 上昇2011年:第254位 138件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特許 4978544 エピタキシャルウェーハの製造方法 2012年 7月18日
特許 4978396 エピタキシャルウェーハの製造方法 2012年 7月18日
特許 4978642 単結晶製造装置および単結晶の製造方法 2012年 7月18日
特許 4978610 黒鉛部材のライフの評価方法 2012年 7月18日
特許 4978877 発光素子の製造方法及び発光素子 2012年 7月18日
特許 4978608 エピタキシャルウエーハの製造方法 2012年 7月18日
特許 4978583 評価用ウエーハ及びその製造方法並びに半導体ウエーハの評価方法 2012年 7月18日
特許 4978577 発光素子の製造方法 2012年 7月18日
特許 4973986 SiC被覆のピンホール有無判定方法 2012年 7月11日
特許 4974043 発光素子およびその製造方法 2012年 7月11日
特許 4973888 発光素子及びその製造方法 2012年 7月11日
特許 4973629 基板処理装置及びシリコン基板の不純物分析方法 2012年 7月11日
特許 4965949 切断方法 2012年 7月 4日 共同出願
特許 4962829 エピタキシャルウェーハの製造方法 2012年 6月27日
特許 4962406 シリコン単結晶の育成方法 2012年 6月27日

161 件中 91-105 件を表示

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4978544 4978396 4978642 4978610 4978877 4978608 4978583 4978577 4973986 4974043 4973888 4973629 4965949 4962829 4962406

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