信越半導体株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4978544 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年 7月18日 | |
| 特許 4978396 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年 7月18日 | |
| 特許 4978642 | 単結晶製造装置および単結晶の製造方法 | 2012年 7月18日 | |
| 特許 4978610 | 黒鉛部材のライフの評価方法 | 2012年 7月18日 | |
| 特許 4978877 | 発光素子の製造方法及び発光素子 | 2012年 7月18日 | |
| 特許 4978608 | エピタキシャルウエーハの製造方法 | 2012年 7月18日 | |
| 特許 4978583 | 評価用ウエーハ及びその製造方法並びに半導体ウエーハの評価方法 | 2012年 7月18日 | |
| 特許 4978577 | 発光素子の製造方法 | 2012年 7月18日 | |
| 特許 4973986 | ＳｉＣ被覆のピンホール有無判定方法 | 2012年 7月11日 | |
| 特許 4974043 | 発光素子およびその製造方法 | 2012年 7月11日 | |
| 特許 4973888 | 発光素子及びその製造方法 | 2012年 7月11日 | |
| 特許 4973629 | 基板処理装置及びシリコン基板の不純物分析方法 | 2012年 7月11日 | |
| 特許 4965949 | 切断方法 | 2012年 7月 4日 | 共同出願 |
| 特許 4962829 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2012年 6月27日 | |
| 特許 4962406 | シリコン単結晶の育成方法 | 2012年 6月27日 |
161 件中 91-105 件を表示
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4978544 4978396 4978642 4978610 4978877 4978608 4978583 4978577 4973986 4974043 4973888 4973629 4965949 4962829 4962406
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