信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2012年 出願公開件数ランキング 第404位 100件
（
2011年：第330位 120件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第234位 161件
（
2011年：第254位 138件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4962840 | 発光素子及びその製造方法 | 2012年 6月27日 | |
| 特許 4955624 | 両面研磨装置 | 2012年 6月20日 | 共同出願 |
| 特許 4957731 | ルツボハンドリング装置 | 2012年 6月20日 | |
| 特許 4957600 | ＦＺ法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 | 2012年 6月20日 | |
| 特許 4956934 | ウエーハのワレ評価装置およびワレ評価方法 | 2012年 6月20日 | |
| 特許 4951914 | （１１０）シリコンウエーハの製造方法 | 2012年 6月13日 | |
| 特許 4952871 | シリコンウェーハの評価方法 | 2012年 6月13日 | |
| 特許 4951927 | シリコンウエーハの選定方法及びアニールウエーハの製造方法 | 2012年 6月13日 | |
| 特許 4946247 | エピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法 | 2012年 6月 6日 | |
| 特許 4947393 | 半導体基板の製造方法 | 2012年 6月 6日 | |
| 特許 4941511 | 廃液処理方法 | 2012年 5月30日 | |
| 特許 4941000 | エピタキシャル層のドーパント濃度測定方法およびこれを用いたエピタキシャル層の抵抗率測定方法 | 2012年 5月30日 | |
| 特許 4935572 | 高輝度発光ダイオードの製造方法 | 2012年 5月23日 | |
| 特許 4934079 | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 | 2012年 5月16日 | 共同出願 |
| 特許 4930487 | 融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 | 2012年 5月16日 |
161 件中 106-120 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
4962840 4955624 4957731 4957600 4956934 4951914 4952871 4951927 4946247 4947393 4941511 4941000 4935572 4934079 4930487
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
2月4日(火) - 東京 港区
2月4日(火) - 神奈川 川崎市
2月4日(火) -
2月4日(火) -
2月5日(水) - 東京 港区
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月6日(木) - 東京 港区
2月6日(木) -
2月7日(金) -
2月7日(金) - 東京 港区
2月7日(金) - 神奈川 横浜市
2月7日(金) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
〒130-0022 東京都墨田区江東橋4-24-5 協新ビル402 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
大阪市北区豊崎3-20-9 三栄ビル７階 特許・実用新案 意匠 商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
群馬県前橋市北代田町６４５－５ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
