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東京エレクトロン株式会社
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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第56位 677件
（
2014年：第58位 686件）
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第51位 433件
（
2014年：第48位 694件）
（ランキング更新日：2024年12月4日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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東京エレクトロン株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5663056 | プラズマ処理装置及び電極構造体 | 2015年 2月 4日 | |
| 特許 5663656 | リソグラフィ用途において放射線感受性を有する材料のラインを細くする方法 | 2015年 2月 4日 | |
| 特許 5663658 | プラズマ評価方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | 2015年 2月 4日 | |
| 特許 5664543 | 搬送装置及び搬送方法 | 2015年 2月 4日 | |
| 特許 5664570 | 基板処理装置及び基板処理方法 | 2015年 2月 4日 | |
| 特許 5664701 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | 2015年 2月 4日 | |
| 特許 5665265 | チャンバー部品を介してプロセス流体を導入する方法及びシステム | 2015年 2月 4日 | |
| 特許 5665627 | シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法、並びに成膜装置及び半導体装置の製造方法 | 2015年 2月 4日 | |
| 特許 5658803 | クリーニング方法 | 2015年 1月28日 | |
| 特許 5659040 | 成膜方法および記憶媒体 | 2015年 1月28日 | |
| 特許 5659041 | 成膜方法および記憶媒体 | 2015年 1月28日 | |
| 特許 5659425 | 負イオンプラズマを生成する処理システムおよび中性ビーム源 | 2015年 1月28日 | |
| 特許 5660205 | 成膜方法 | 2015年 1月28日 | |
| 特許 5660804 | カーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置 | 2015年 1月28日 | |
| 特許 5661006 | ニッケル膜の成膜方法 | 2015年 1月28日 |
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5663056 5663656 5663658 5664543 5664570 5664701 5665265 5665627 5658803 5659040 5659041 5659425 5660205 5660804 5661006
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12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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ビジネスの実務で役立つ技術契約の基礎知識と実例 ～秘密保持契約、共同研究開発、共同出願契約、製造委託契約、特許ライセンス契約～
12月12日(木) - 東京 千代田
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12月12日(木) -
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12月13日(金) - 東京 品川
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