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グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド
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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第904位 27件
（
2023年：第816位 33件）
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第1274位 16件
（
2023年：第1516位 13件）
（ランキング更新日：2025年1月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2024-517236 | エピタキシャルウェハを形成するための方法 | 2024年 4月19日 | |
| 特表 2024-515991 | 水平磁場チョクラルスキー法によるシリコンインゴットの製造方法 | 2024年 4月11日 | |
| 特表 2024-507563 | 複合排気チューブを有するインゴット引き上げ装置および排気チューブの下側部分および上側部分の長さを選択する方法 | 2024年 2月20日 | |
| 特表 2024-506372 | 結晶引き上げ装置の領域の過渡熱応答を取得する方法とシステム | 2024年 2月13日 | |
| 特表 2024-501859 | 添加剤供給システム、インゴット引上げ装置、及び添加剤供給システムを使用して単結晶シリコンインゴットを形成する方法 | 2024年 1月16日 | |
| 特表 2024-501860 | 半導体ウェハ反応装置における予熱リングのためのシステムおよび方法 | 2024年 1月16日 | |
| 特表 2024-501865 | 半導体構造にイオンを注入する方法 | 2024年 1月16日 | |
| 特表 2024-501866 | 半導体ウエハリアクタ中の輻射熱キャップのためのシステムと方法 | 2024年 1月16日 | |
| 特表 2024-501868 | 気化ドーパントを使用して単結晶シリコンインゴットを製造するためのシステム及び方法 | 2024年 1月16日 | |
| 特表 2024-501567 | 単結晶シリコンインゴットの成長中における緩衝部材の使用 | 2024年 1月12日 | |
| 特表 2024-500289 | 結晶引き上げ装置のシリコン融液とリフレクタとの間の距離を決定するための非接触システムおよび方法 | 2024年 1月 9日 | |
| 特表 2024-500028 | 空洞を含む熱シールドを有するインゴットプラー装置 | 2024年 1月 4日 |
27 件中 16-27 件を表示
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2024-517236 2024-515991 2024-507563 2024-506372 2024-501859 2024-501860 2024-501865 2024-501866 2024-501868 2024-501567 2024-500289 2024-500028
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