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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5976875 | プラズマ処理チャンバの下側電極アセンブリ | 2016年 8月24日 | |
特許 5974054 | 温度制御式ホットエッジリング組立体 | 2016年 8月23日 | |
特許 5965641 | プラズマ助長酸化を使用したパッシベーションを伴うシリコンエッチング方法及び装置 | 2016年 8月10日 | |
特許 5955850 | 半導体処理のためのヒータゾーンを伴った加熱板、基板サポートアセンブリ、加熱板を作成する方法、加熱板の各ヒータゾーンを作成する方法、及び加熱板の層を製造するための方法 | 2016年 7月20日 | |
特許 5950831 | イオン発生と処理ガスの解離の独立制御を有するプラズマエッチングのためのシステム、方法、および装置 | 2016年 7月13日 | |
特許 5946640 | 温度制御式ホットエッジリング組立体 | 2016年 7月 6日 | |
特許 5933177 | 電源供給を局所化する分散型電源装置 | 2016年 6月 8日 | |
特許 5925789 | 多重加熱器アレイのための故障検出の方法 | 2016年 5月25日 | |
特許 5925897 | 半導体処理のためのダイオード平面ヒータゾーンを伴う加熱板、それを製造する方法、基板サポートアセンブリ、及び、半導体基板をプラズマ処理するための方法 | 2016年 5月25日 | |
特許 5925943 | CDの均一性を向上させるための基板温度調整を行う方法 | 2016年 5月25日 | |
特許 5921952 | 電極アッセンブリ | 2016年 5月24日 | |
特許 5922076 | プラズマ処理装置 | 2016年 5月24日 | |
特許 5913312 | 中性/イオンフラックスの制御のための半導体ウエハ処理装置、半導体ウエハ処理システム、及び、ガス分配ユニット | 2016年 4月27日 | |
特許 5913313 | 高周波(RF)パワーフィルタ及びRFパワーフィルタを備えるプラズマ処理システム | 2016年 4月27日 | |
特許 5905447 | プラズマ処理システムにおける誘導コイルアセンブリ | 2016年 4月20日 |
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5976875 5974054 5965641 5955850 5950831 5946640 5933177 5925789 5925897 5925943 5921952 5922076 5913312 5913313 5905447
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11月28日(木) -
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12月1日(日) -
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