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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第1534位 16件
(2018年:第577位 52件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第656位 34件
(2018年:第650位 36件)
(ランキング更新日:2025年8月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6557490 | 不揮発性金属材料のエッチング方法 | 2019年 8月 7日 | |
特許 6538362 | 2次元温度出力プロファイルを達成するための熱制御素子の配列への電力入力を算出する方法 | 2019年 7月 3日 | |
特許 6526377 | エッジランピング | 2019年 6月 5日 | |
特許 6527677 | パルス化された低周波数RF電力による高選択性かつ低応力のカーボンハードマスク | 2019年 6月 5日 | |
特許 6508895 | マルチポート弁アセンブリを備えるプラズマ処理装置 | 2019年 5月 8日 | |
特許 6509495 | 半導体製造用の内部プラズマグリッドの適用 | 2019年 5月 8日 | |
特許 6506915 | 半導体製造用の内部プラズマグリッド | 2019年 4月24日 | |
特許 6502628 | 電気めっきシステム | 2019年 4月17日 | |
特許 6494713 | プラズマ処理中における磁場パターンの制御/調整方法 | 2019年 4月 3日 | |
特許 6494940 | 異なるサイズのフィーチャへのボイドフリータングステン充填 | 2019年 4月 3日 | |
特許 6495025 | 真空統合ハードマスク処理および装置 | 2019年 4月 3日 | |
特許 6483880 | ウェハバイアスを決定するための方法およびプラズマシステム | 2019年 3月13日 | |
特許 6479085 | 半導体処理用の交流駆動を用いる多重ヒータアレイ | 2019年 3月 6日 | |
特許 6475430 | イオン加速器を備えるデュアルチャンバプラズマエッチング装置 | 2019年 2月27日 | |
特許 6469374 | イオンビームエッチングシステム | 2019年 2月13日 |
34 件中 16-30 件を表示
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6557490 6538362 6526377 6527677 6508895 6509495 6506915 6502628 6494713 6494940 6495025 6483880 6479085 6475430 6469374
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