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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第127位 267件
(
2024年:第178位 197件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第136位 217件
(
2024年:第216位 154件)
(ランキング更新日:2026年10月23日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7793023 | 基板処理システム用のチラー開閉コネクタ | 2025年12月26日 | |
| 特許 7793012 | アーク発生を防止または抑制するための化学蒸着ツール | 2025年12月26日 | |
| 特許 7792995 | 半導体RFプラズマ処理のためのパルス内のRFパルス | 2025年12月26日 | |
| 特許 7791924 | 高アスペクト比の誘電体エッチングを達成するための3つ以上の状態 | 2025年12月24日 | |
| 特許 7791817 | 端部/中央部の不均一性を軽減するためにウエハの外周近傍に凹部を備えた半導体処理チャック | 2025年12月24日 | |
| 特許 7789172 | 基板処理システム用の縮径キャリアリングハードウェア | 2025年12月19日 | |
| 特許 7788408 | バブラを用いた濃度制御 | 2025年12月18日 | |
| 特許 7788393 | 基板処理システムのプロセスモジュールバイアスアセンブリ用の摺動・枢動アセンブリ | 2025年12月18日 | |
| 特許 7787928 | 誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質 | 2025年12月17日 | |
| 特許 7787894 | エッチングフロント金属触媒を用いる高アスペクト比メモリのプロファイル最適化 | 2025年12月17日 | |
| 特許 7787253 | ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド | 2025年12月16日 | |
| 特許 7785825 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム | 2025年12月15日 | |
| 特許 7785132 | 半導体処理ツールにおけるRF電流測定 | 2025年12月12日 | |
| 特許 7781991 | 二重周波数、直接駆動誘導結合プラズマ源 | 2025年12月 8日 | |
| 特許 7781879 | インピーダンス整合器のための均一性制御回路 | 2025年12月 8日 |
217 件中 1-15 件を表示
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7793023 7793012 7792995 7791924 7791817 7789172 7788408 7788393 7787928 7787894 7787253 7785825 7785132 7781991 7781879
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