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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第356位 104件
(2019年:第321位 122件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第290位 95件
(2019年:第185位 146件)
(ランキング更新日:2025年6月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2020-33200 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコンウェーハ | 2020年 3月 5日 | |
特開 2020-35922 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | 2020年 3月 5日 | |
特開 2020-36039 | pn接合シリコンウェーハ | 2020年 3月 5日 | |
再表 2018-198797 | シリコン単結晶の製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶、および、エピタキシャルシリコンウェーハ | 2020年 2月27日 | |
特開 2020-31105 | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ | 2020年 2月27日 | |
再表 2018-198606 | n型シリコン単結晶の製造方法、n型シリコン単結晶のインゴット、シリコンウェーハ、およびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2020年 2月20日 | |
特開 2020-26954 | ウェーハの検査方法および検査装置 | 2020年 2月20日 | |
特開 2020-23411 | 石英ガラスルツボおよび石英ガラスルツボの製造方法 | 2020年 2月13日 | |
特開 2020-15122 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 | 2020年 1月30日 | |
特開 2020-11349 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 | 2020年 1月23日 | |
特開 2020-12772 | シリコン単結晶の炭素濃度測定方法及び装置 | 2020年 1月23日 | |
再表 2018-186248 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2020年 1月16日 | |
特開 2020-9924 | シリコンウェーハの検査方法、検査装置、製造方法 | 2020年 1月16日 | |
特開 2020-9969 | 半導体ウェーハの洗浄方法、および該洗浄方法を用いた半導体ウェーハの製造方法 | 2020年 1月16日 | |
特開 2020-4989 | シリコン接合ウェーハ | 2020年 1月 9日 |
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2020-33200 2020-35922 2020-36039 2018-198797 2020-31105 2018-198606 2020-26954 2020-23411 2020-15122 2020-11349 2020-12772 2018-186248 2020-9924 2020-9969 2020-4989
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