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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第598位 45件
(
2024年:第435位 71件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第355位 77件
(
2024年:第402位 73件)
(ランキング更新日:2026年10月16日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2025-187555 | 枚葉式熱処理炉の金属汚染評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2025年12月25日 | |
| 特開 2025-186876 | SOIウェーハ及びSOIウェーハの製造方法 | 2025年12月24日 | |
| 特開 2025-186056 | SOIウェーハの片面研磨方法 | 2025年12月23日 | |
| 特開 2025-185536 | ウェーハの外観検査装置及びウェーハの外観検査方法 | 2025年12月22日 | |
| 特開 2025-183874 | 切断治具 | 2025年12月17日 | |
| 特開 2025-183872 | 切断治具 | 2025年12月17日 | |
| 特開 2025-177966 | ウェーハの搬送方法及びウェーハの搬送装置 | 2025年12月 5日 | |
| 特開 2025-175138 | シリコン単結晶の製造方法 | 2025年11月28日 | |
| 特開 2025-162835 | 原料供給方法、シリコン単結晶製造方法、原料供給制御装置、および、シリコン単結晶製造システム | 2025年10月28日 | |
| 特開 2025-162834 | ドーパント添加方法、シリコン単結晶製造方法、ドーパント添加制御装置、および、シリコン単結晶製造システム | 2025年10月28日 | |
| 特開 2025-160613 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2025年10月23日 | |
| 特開 2025-158687 | SOIウェーハの片面研磨方法、片面研磨装置、及び研磨SOIウェーハの製造方法 | 2025年10月17日 | |
| 特開 2025-158481 | ウェーハの欠陥判別装置及び欠陥判別システム、並びに、ウェーハの欠陥判別方法 | 2025年10月17日 | |
| 特開 2025-157587 | シリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2025年10月15日 | |
| 特開 2025-153297 | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2025年10月10日 |
45 件中 1-15 件を表示
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2025-187555 2025-186876 2025-186056 2025-185536 2025-183874 2025-183872 2025-177966 2025-175138 2025-162835 2025-162834 2025-160613 2025-158687 2025-158481 2025-157587 2025-153297
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