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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第512位 61件 (2022年:第539位 58件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第372位 84件 (2022年:第278位 113件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2023-123192 | 移載装置、研磨設備、及び移載方法 | 2023年 9月 5日 | |
特開 2023-115377 | 半導体ウェーハ | 2023年 8月18日 | |
特開 2023-96408 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2023年 7月 7日 | |
特開 2023-96893 | 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法 | 2023年 7月 7日 | |
特開 2023-96896 | 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法 | 2023年 7月 7日 | |
特開 2023-96901 | 絶縁膜形成装置用トレー、絶縁膜形成装置および絶縁膜形成方法 | 2023年 7月 7日 | |
特開 2023-97005 | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ製造装置 | 2023年 7月 7日 | |
特開 2023-95080 | シリコンインゴットの切断方法 | 2023年 7月 6日 | |
特開 2023-94445 | 半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2023年 7月 5日 | |
特開 2023-91219 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2023年 6月30日 | |
特開 2023-90559 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2023年 6月29日 | |
特開 2023-88070 | 両面研磨装置 | 2023年 6月26日 | |
特開 2023-86594 | 半導体ウェーハ用エピタキシャル成長装置の基準位置検出状態の判定方法、半導体ウェーハの載置位置測定方法、及び、エピタキシャル成長装置 | 2023年 6月22日 | |
特開 2023-86621 | コイル、単結晶の製造装置用磁石、単結晶の製造装置および単結晶の製造方法 | 2023年 6月22日 | |
特開 2023-85098 | 積層ウェーハ及びその製造方法 | 2023年 6月20日 |
63 件中 16-30 件を表示
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2023-123192 2023-115377 2023-96408 2023-96893 2023-96896 2023-96901 2023-97005 2023-95080 2023-94445 2023-91219 2023-90559 2023-88070 2023-86594 2023-86621 2023-85098
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11月22日(金) -
11月22日(金) - 東京 千代田区
11月22日(金) - 東京 港区
11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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