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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第673位 35件
(
2024年:第435位 71件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第357位 68件
(
2024年:第402位 73件)
(ランキング更新日:2025年11月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7746944 | SOIウェーハ及びその製造方法 | 2025年10月 1日 | |
| 特許 7746946 | 単結晶製造装置 | 2025年10月 1日 | |
| 特許 7746951 | ウェーハ形状のモデル化方法、およびウェーハの製造方法 | 2025年10月 1日 | |
| 特許 7740170 | ワイヤソーの測定装置及び測定方法 | 2025年 9月17日 | |
| 特許 7735853 | 半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2025年 9月 9日 | |
| 特許 7732480 | シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶製造装置 | 2025年 9月 2日 | |
| 特許 7729256 | エピタキシャルシリコンウェーハ | 2025年 8月26日 | |
| 特許 7729292 | インゴットのVノッチ評価装置 | 2025年 8月26日 | |
| 特許 7726297 | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 | 2025年 8月20日 | |
| 特許 7722350 | モニターウェーハの製造方法、および、モニターウェーハを用いる気相成長装置の異常判定方法 | 2025年 8月13日 | |
| 特許 7715094 | 半導体ウェーハの評価方法 | 2025年 7月30日 | |
| 特許 7713198 | 半導体試料の評価方法 | 2025年 7月25日 | |
| 特許 7711628 | シリコン単結晶の育成方法、シリコンウェーハの製造方法、および単結晶引き上げ装置 | 2025年 7月23日 | |
| 特許 7711637 | ウェーハの判定方法、判定プログラム、判定装置、ウェーハの製造方法及びウェーハ | 2025年 7月23日 | |
| 特許 7711657 | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの製造方法 | 2025年 7月23日 |
70 件中 16-30 件を表示
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7746944 7746946 7746951 7740170 7735853 7732480 7729256 7729292 7726297 7722350 7715094 7713198 7711628 7711637 7711657
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