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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第626位 37件
(
2025年:第598位 45件)
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第395位 54件
(
2025年:第355位 77件)
(ランキング更新日:2026年10月23日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7907683 | 円筒研削装置、円筒研削方法およびウェーハの製造方法 | 2026年 8月19日 | |
| 特許 7907613 | 梱包体および梱包方法 | 2026年 8月19日 | |
| 特許 7907488 | 欠陥検出装置、欠陥検出方法、及びプログラム | 2026年 8月19日 | |
| 特許 7903630 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | 2026年 8月12日 | |
| 特許 7903482 | シリコンウェーハにおけるゲッタリング能力の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2026年 8月12日 | |
| 特許 7899684 | 熱遮蔽体位置決め治具、熱遮蔽体位置決め方法及びシリコン単結晶の製造方法 | 2026年 8月 4日 | |
| 特許 7899683 | 貼合せSOIウェーハ | 2026年 8月 4日 | |
| 特許 7893354 | シリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2026年 7月22日 | |
| 特許 7893353 | シリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2026年 7月22日 | |
| 特許 7889303 | 石英ガラスルツボ | 2026年 7月14日 | |
| 特許 7885663 | ワークの片面研磨装置、ワークの片面研磨方法、シリコンウェーハの製造方法 | 2026年 7月 7日 | |
| 特許 7882130 | シリコン単結晶の評価方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2026年 6月30日 | |
| 特許 7871606 | シリコン単結晶の育成方法、シリコンウェーハの製造方法、および単結晶引き上げ装置 | 2026年 6月 9日 | |
| 特許 7868749 | 半導体ウェーハの洗浄条件決定方法および半導体ウェーハの洗浄方法 | 2026年 6月 2日 | |
| 特許 7868746 | 半導体試料の評価方法、半導体試料の評価装置および半導体ウェーハの製造方法 | 2026年 6月 2日 |
54 件中 16-30 件を表示
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7907683 7907613 7907488 7903630 7903482 7899684 7899683 7893354 7893353 7889303 7885663 7882130 7871606 7868749 7868746
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