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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第36位 437件
(2024年:第41位 605件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第33位 441件
(2024年:第47位 555件)
(ランキング更新日:2025年9月19日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7635197 | 半導体処理システム用のマルチリッド構造 | 2025年 2月25日 | |
特許 7635265 | 完全自己整合サブトラクティブエッチング | 2025年 2月25日 | |
特許 7635306 | 裏側物理的気相堆積の方法及び装置 | 2025年 2月25日 | |
特許 7635318 | トランジスタのヒ素拡散プロファイルエンジニアリング | 2025年 2月25日 | |
特許 7635323 | フッ素および金属ハロゲン化物を使用した金属酸化物のエッチング | 2025年 2月25日 | |
特許 7635361 | 流量制御装置において使用するための微小電気機械デバイス | 2025年 2月25日 | |
特許 7635399 | RF四重極粒子加速器 | 2025年 2月25日 | |
特許 7635424 | フォトマスクの処理方法及び装置 | 2025年 2月25日 | |
特許 7635435 | ウエハの可変相対速度による非対称性補正 | 2025年 2月25日 | |
特許 7635463 | 基板用の湿式洗浄噴霧プロセスチャンバ | 2025年 2月25日 | |
特許 7634590 | 温度を測定するための装置 | 2025年 2月21日 | |
特許 7634609 | 金属オキソフォトレジストのための気相熱エッチング法 | 2025年 2月21日 | |
特許 7634642 | ホウ素がドープされたシリコン材料を利用した集積プロセス | 2025年 2月21日 | |
特許 7634644 | 多孔性プラグ結合 | 2025年 2月21日 | |
特許 7634663 | 三次元ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)及びその形成方法 | 2025年 2月21日 |
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7635197 7635265 7635306 7635318 7635323 7635361 7635399 7635424 7635435 7635463 7634590 7634609 7634642 7634644 7634663
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最新の制度改正を反映 海外の特許制度と実務上の留意点(米国・欧州(EPC)・中国)~米国ならびに EPC (欧州特許条約)・中国の各制度の下でのグローバル特許取得の基本的な知識と留意点を解説します~
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9月26日(金) - 神奈川 横浜市
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