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信越半導体株式会社

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　■　2016年出願公開件数ランキング　　　第339位　111件（2015年：第318位　124件）

　■　2016年特許取得件数ランキング　　　第265位　122件（2015年：第308位　89件）

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2016-143837	研磨布立ち上げ方法及び研磨方法	2016年 8月 8日
特開 2016-135529	ワークの切断方法	2016年 7月28日
特開 2016-136591	貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法	2016年 7月28日
特開 2016-132580	シリコン単結晶の製造方法	2016年 7月25日
特開 2016-129162	エピタキシャルウェーハの製造方法	2016年 7月14日
特開 2016-129180	発光素子及び発光素子の製造方法	2016年 7月14日
特開 2016-129189	赤外発光素子	2016年 7月14日
特開 2016-127192	シリコン基板の選別方法及びシリコン基板	2016年 7月11日
特開 2016-127223	電子デバイス用エピタキシャル基板、電子デバイス、電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法、並びに電子デバイスの製造方法	2016年 7月11日
特開 2016-117603	シリコン単結晶の製造方法	2016年 6月30日
特開 2016-119332	回収器具の製造方法、金属不純物の回収方法、及び金属不純物の分析方法	2016年 6月30日
特開 2016-119380	エピタキシャルウェーハの製造方法	2016年 6月30日
特開 2016-114506	薄膜付ウェーハの評価方法	2016年 6月23日
特開 2016-115791	シリコンウェーハの研磨方法	2016年 6月23日
特開 2016-108159	シリコン結晶の炭素濃度測定方法	2016年 6月20日

114 件中 46-60 件を表示

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2016-143837 2016-135529 2016-136591 2016-132580 2016-129162 2016-129180 2016-129189 2016-127192 2016-127223 2016-117603 2016-119332 2016-119380 2016-114506 2016-115791 2016-108159

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