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信越半導体株式会社

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　■　2016年特許取得件数ランキング　　　第265位　122件（2015年：第308位　89件）

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2016-213320	エピタキシャルウェーハの製造方法	2016年12月15日
特開 2016-213329	半導体基板の評価方法	2016年12月15日
特開 2016-213382	半導体基板の評価方法、半導体基板の製造方法及び半導体装置	2016年12月15日
特開 2016-213399	シリコン単結晶基板の評価方法	2016年12月15日
特開 2016-213411	ヘイズの評価方法	2016年12月15日
特開 2016-203270	研磨ヘッドの製造方法及び研磨ヘッド、並びに研磨装置	2016年12月 8日
特開 2016-203303	ワイヤソー装置	2016年12月 8日
特開 2016-204178	単結晶製造装置	2016年12月 8日
特開 2016-204187	エピタキシャルウェーハの製造方法	2016年12月 8日
特開 2016-207682	半導体装置の製造方法及び半導体装置の評価方法	2016年12月 8日
特開 2016-207745	エピタキシャルウェーハの製造方法	2016年12月 8日
特開 2016-207869	エピタキシャルウェーハ及び発光ダイオード	2016年12月 8日
特開 2016-198864	両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法	2016年12月 1日
特開 2016-201454	ＳＯＩウェーハの製造方法	2016年12月 1日
特開 2016-196390	シリコン単結晶の製造方法	2016年11月24日

114 件中 16-30 件を表示

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2016-213320 2016-213329 2016-213382 2016-213399 2016-213411 2016-203270 2016-203303 2016-204178 2016-204187 2016-207682 2016-207745 2016-207869 2016-198864 2016-201454 2016-196390

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