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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第339位 111件 (2015年:第318位 124件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第265位 122件 (2015年:第308位 89件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2016-58481 | 半導体製造装置、半導体基板の製造方法及び搬送ロボット | 2016年 4月21日 | |
特開 2016-58556 | 半導体基板の評価方法 | 2016年 4月21日 | |
特開 2016-58623 | 半導体ウェーハの加工方法、貼り合わせウェーハの製造方法、及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 4月21日 | |
特開 2016-50140 | 抵抗率制御方法及びn型シリコン単結晶 | 2016年 4月11日 | |
特開 2016-50157 | 単結晶の製造方法 | 2016年 4月11日 | |
特開 2016-47938 | 気相成長装置及び被処理基板の支持構造 | 2016年 4月 7日 | |
特開 2016-44988 | 基板局所の自動分析装置及び分析方法 | 2016年 4月 4日 | |
特開 2016-46468 | シリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法、シリコン基板の再結合ライフタイム測定方法、及びシリコン基板のパッシベーション処理方法 | 2016年 4月 4日 | |
特開 2016-41638 | 単結晶育成装置及びその装置を用いた単結晶育成方法 | 2016年 3月31日 | |
特開 2016-39169 | 単結晶基板の抵抗率保証方法 | 2016年 3月22日 | |
特開 2016-39179 | シリコンウェーハの仕上げ研磨方法及びシリコンウェーハ | 2016年 3月22日 | |
特開 2016-39180 | 研磨布の評価方法 | 2016年 3月22日 | |
特開 2016-31971 | ゲルマニウムウェーハの研磨方法 | 2016年 3月 7日 | |
特開 2016-22542 | ウェーハ保持用キャリア並びにそれを用いたウェーハの両面研磨方法及びウェーハ保持用キャリアの評価方法並びに設計方法 | 2016年 2月 8日 | |
特開 2016-13602 | ワークの切断方法及びワーク保持治具 | 2016年 1月28日 |
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2016-58481 2016-58556 2016-58623 2016-50140 2016-50157 2016-47938 2016-44988 2016-46468 2016-41638 2016-39169 2016-39179 2016-39180 2016-31971 2016-22542 2016-13602
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11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月29日(金) - 東京 港区
12月2日(月) - 滋賀 草津市
新製品開発の「タネ」がみつかる!株式会社リコーによるシーズ発表会 ~リコーの技術(シーズ)やアイデアを使って新製品をつくりませんか?~
12月2日(月) -
12月4日(水) - 東京 千代田区
12月4日(水) - 東京 港区
12月4日(水) -
12月4日(水) - 大阪 大阪市
12月4日(水) -
12月4日(水) -
12月5日(木) - 東京 港区
12月5日(木) -
12月5日(木) -
12月5日(木) - 大阪 大阪市
【特別講演】第8回 前コミュ 生成AIでビジネスチャンスをつかむ前に、生成AI導入に待ち構える法的ハードルを越える方法 ~ つながりを育む出会いの場(知財ネットワーク交流会)~
12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
12月6日(金) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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