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信越半導体株式会社

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  2016年 出願公開件数ランキング    第339位 111件 下降2015年:第318位 124件)

  2016年 特許取得件数ランキング    第265位 122件 上昇2015年:第308位 89件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2016-58481 半導体製造装置、半導体基板の製造方法及び搬送ロボット 2016年 4月21日
特開 2016-58556 半導体基板の評価方法 2016年 4月21日
特開 2016-58623 半導体ウェーハの加工方法、貼り合わせウェーハの製造方法、及びエピタキシャルウェーハの製造方法 2016年 4月21日
特開 2016-50140 抵抗率制御方法及びn型シリコン単結晶 2016年 4月11日
特開 2016-50157 単結晶の製造方法 2016年 4月11日
特開 2016-47938 気相成長装置及び被処理基板の支持構造 2016年 4月 7日
特開 2016-44988 基板局所の自動分析装置及び分析方法 2016年 4月 4日
特開 2016-46468 シリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法、シリコン基板の再結合ライフタイム測定方法、及びシリコン基板のパッシベーション処理方法 2016年 4月 4日
特開 2016-41638 単結晶育成装置及びその装置を用いた単結晶育成方法 2016年 3月31日
特開 2016-39169 単結晶基板の抵抗率保証方法 2016年 3月22日
特開 2016-39179 シリコンウェーハの仕上げ研磨方法及びシリコンウェーハ 2016年 3月22日
特開 2016-39180 研磨布の評価方法 2016年 3月22日
特開 2016-31971 ゲルマニウムウェーハの研磨方法 2016年 3月 7日
特開 2016-22542 ウェーハ保持用キャリア並びにそれを用いたウェーハの両面研磨方法及びウェーハ保持用キャリアの評価方法並びに設計方法 2016年 2月 8日
特開 2016-13602 ワークの切断方法及びワーク保持治具 2016年 1月28日

114 件中 91-105 件を表示

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2016-58481 2016-58556 2016-58623 2016-50140 2016-50157 2016-47938 2016-44988 2016-46468 2016-41638 2016-39169 2016-39179 2016-39180 2016-31971 2016-22542 2016-13602

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