特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2020年出願公開件数ランキング　　　第459位　73件（2019年：第396位　96件）

　■　2020年特許取得件数ランキング　　　第364位　72件（2019年：第322位　84件）

（ランキング更新日：2024年11月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2021年 2022年 2023年 2024年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2020-150109	半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置	2020年 9月17日
特開 2020-142328	シリコン単結晶インゴットの研削方法	2020年 9月10日
特開 2020-145306	シリコン単結晶の抵抗率測定方法	2020年 9月10日
特開 2020-138304	ワークの切断加工方法及びワークの切断加工装置	2020年 9月 3日
特開 2020-138887	単結晶育成装置及び単結晶育成方法	2020年 9月 3日
特開 2020-140988	半導体ウェーハの故意汚染方法	2020年 9月 3日
特開 2020-131299	ワークの切断方法及びワークの切断装置	2020年 8月31日
特開 2020-132462	シリコン単結晶引上装置	2020年 8月31日
特開 2020-132483	ＣＺシリコン単結晶製造方法	2020年 8月31日
特開 2020-136583	ＣＶ測定に用いるための抵抗率校正用半導体ウェーハ及びその作製方法	2020年 8月31日
特開 2020-123610	シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ	2020年 8月13日
特開 2020-123676	エッチング方法	2020年 8月13日
特開 2020-119930	ウェーハの評価方法	2020年 8月 6日
特開 2020-110886	ワークの切断方法及びワイヤソー	2020年 7月27日
特開 2020-111485	シリコン単結晶の製造方法	2020年 7月27日

73 件中 31-45 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2020-150109 2020-142328 2020-145306 2020-138304 2020-138887 2020-140988 2020-131299 2020-132462 2020-132483 2020-136583 2020-123610 2020-123676 2020-119930 2020-110886 2020-111485

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数